Карбід кремнію (SiC).
Карбід кремнію (SiC) — широкозонний напівпровідниковий матеріал третього-покоління-, який характеризується сильним електричним полем пробою, високою теплопровідністю, високою швидкістю дрейфу насичення електронів, а також чудовою хімічною та термічною стабільністю. Він широко використовується в силовій електроніці, радіочастотних пристроях, електричних транспортних засобах, зв’язку 5G, промислових джерелах живлення, аерокосмічній галузі та інших сферах. Його твердість і крихкість робить точну механічну обробку критичним кроком у виробництві високо-продуктивних пристроїв.
Компанія Hemei володіє глибоким технічним досвідом у прецизійній обробці твердих і крихких матеріалів. Ми розробили ефективний і стабільний процес полірування та планарізації спеціально для матеріалів SiC. Цей процес забезпечує повністю керовану обробку від підготовки основи до-фінішної обробки поверхні на рівні пристрою, відповідаючи суворим вимогам до якості поверхні для SiC у високо-додатках, таких як модулі живлення та мікрохвильові РЧ-пристрої.
Вимоги до заявки
Цілі полірування та обробки поверхні SiC матеріалів включають:
Зменшення шорсткості поверхні (Ra) до < 0,5 нм.
Досягнення площинності поверхні (TTV) Менше або дорівнює 1 мкм, причому локальна площинність (LTV) перевищує це значення.
Створення поверхонь без подряпин, мікро-тріщин і під-поверхневих пошкоджень відповідно до-вимог до електричних характеристик пристрою.
Сумісність із різними політипами, такими як 4H-SiC і 6H-SiC, підтримка обробки пластин діаметром від 4 до 8 дюймів.
Щоб досягти цих цілей, процес Hemei використовує індивідуальні системи склеювання та багато-процедури полірування, що забезпечує геометричну точність і цілісність поверхні під час обробки.
Специфікації системи
Модульні системи полірування Hemei підтримують обробку пластин/кристалів SiC різних розмірів і форм. Основні системи включають:
Притиральне обладнання серії HSM-L/LP: використовується для початкового видалення матеріалу та контролю товщини.
Системи хімічного механічного полірування серії HSM-CMP: використовуються для отримання над-гладких поверхонь без-пошкоджень.
Ключові підсистеми:
Вафельно-кристалічний-блок зв’язування (WB).
Прилади для точного полірування серії SJ/ASJ.
Високошвидкісна система полірування C-ASJ Drive Head-.
Хід процесу
З’єднання та монтаж: Зразок SiC тимчасово прикріплюється до несучої пластини за допомогою пристрою для з’єднання WB, а потім монтується на полірувальне пристосування.
Грубе та проміжне полірування: Контрольоване шліфування виконується на обладнанні HSM-L для видалення шару,-ураженого процесом.
Тонке полірування: Остаточне полірування виконується за допомогою системи HSM-CMP. Такі параметри, як тиск, швидкість обертання та швидкість потоку суспензії, регулюються в реальному-часі для досягнення нано{3}}гладкості поверхні.
Типові результати
Шорсткість поверхні Ra < 0,5 нм.
Загальна варіація товщини (TTV) Менше або дорівнює 1 мкм, локальна варіація товщини (LTV) Менше або дорівнює 0,3 мкм.
Швидкість видалення матеріалу: 0.5 - 2 мкм/хв (регулюється).
Підходить для пластин SiC діаметром менше або дорівнює 8 дюймам, підтримує загальні політипи, такі як 4H/6H-SiC.
Резюме
Компанія Hemei пропонує повне та надійне рішення для полірування та вирівнювання матеріалів з карбіду кремнію. Це рішення постійно забезпечує якість поверхні нано-рівня та високу електричну продуктивність, таким чином підтримуючи індустріалізацію та покращення продуктивності пристроїв для SiC у високо-галузях, таких як силова електроніка, радіочастотний зв’язок і транспортні засоби з новою енергією.
